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侮辱（d）器件在不同温度下的I-V曲线。图四、拒绝机居纳米线薄膜紫外光探测器的表面离子栅调控特性纳米线薄膜紫外光检测器在未施加/施加SIG调控时的I-V-T曲线。
【引言】拥有高比表面积的纳米材料表面吸附离子，侮辱如O2-等，可以起到浮栅的作用，对纳米材料的电学和光电性能有重要的调节作用。主要研究方向有：拒绝机居纳米结构与光电器件，纳米发电机，自驱动传感器等。（c）SIG调控下氧负离子的吸附过程：侮辱氧气从微等离子体中得到电子变成氧负离子，然后吸附在纳米线表面，实现快速吸附。
文章链接：拒绝机居https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104808【作者简介】程纲，拒绝机居男，1978年生，博士，教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者，河南省高校创新团队带头人，河南省科技创新杰出青年，河南省学术技术带头人。（d）、侮辱（e）及（f）为未施加SIG调控时器件相应的I-V-T曲线。
拒绝机居（b）器件在不同生长循环时的I-V曲线。
图五、侮辱表面离子栅对光电特性的调控机制ZnO纳米线薄膜上的离子吸附及其能带结构示意图。美女主播之一，拒绝机居在认真拆解。
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